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日本MyNaviNews報導(dǎo)，DRAM價格在2016年到達(dá)谷底后，現(xiàn)在又持續(xù)上漲，且因存儲器廠商產(chǎn)能過多帶來價格崩盤的教訓(xùn)，即使現(xiàn)在市場需求持續(xù)上漲，廠商設(shè)備投資卻優(yōu)先用在其它方面，因此市場估計，DRAM價格不僅2017年內(nèi)只漲不跌，甚至2018全年仍會持續(xù)上漲。

目前主要的DRAM供應(yīng)廠，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)與美光(Micron)，雖然有新廠建設(shè)計劃，但估計最快也要2019年才能進(jìn)行試產(chǎn)，大量生產(chǎn)可能會更晚。

可是現(xiàn)在市場的DRAM需求有增無減，智能型手機(jī)的性能提升帶動DRAM需求成長，美國主要IT業(yè)者投資云端資料中心建設(shè)，同時也帶來DRAM需求，使得DRAM的單位容量平均價格在2016年7月到2017年7月之間，增加1.1倍。

目前市場估計，2018年的全球DRAM需求量，將有超過20%的成長，但DRAM大廠因為沒有新廠展開量產(chǎn)，透過現(xiàn)有生產(chǎn)線的升級與最佳化，DRAM晶圓產(chǎn)能估計僅增加5~7%，供貨容量成長率很難到達(dá)20%，供不應(yīng)求的情況下，可以預(yù)期DRAM漲勢將持續(xù)到2018年全年。

相對于DRAM在2016年因供過于求，導(dǎo)致價格下跌，其它存儲器產(chǎn)品，比方三星、SK海力士、美光也都有份的NAND Flash，各廠從2016年起便積極針對新的3D NAND Flash投資增產(chǎn)，但NAND Flash市場價格持續(xù)成長，東芝存儲器(TMC)出售案的糾紛更讓其它廠覺得有機(jī)可乘，積極投資增產(chǎn)。

另外，目前也是半導(dǎo)體新制程引進(jìn)時機(jī)，如極紫外光(EUV)曝光設(shè)備、納米壓印(NanoImprint)，甚至是MRAM等其它新存儲器技術(shù)接近實用階段的時間點，如日本半導(dǎo)體設(shè)備廠東京威力科創(chuàng)(TEL)便與美國Spin Transfer Technologies合作，研發(fā)MRAM制造技術(shù)，供存儲器廠發(fā)展次世代產(chǎn)品應(yīng)用。

因此，DRAM設(shè)備投資，相對于其它種類的存儲器技術(shù)及產(chǎn)品設(shè)備投資，便遭到DRAM大廠放緩與擱置：三星與SK海力士的新DRAM生產(chǎn)線，計劃都是在2019年才開始生產(chǎn)，美光甚至?xí)簾o新廠計劃，DRAM供不應(yīng)求與價格上漲問題，恐非短期內(nèi)能解決。

日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)訪問日本的PC零售商，商家表示，因手機(jī)與云端資料中心需求優(yōu)先，PC業(yè)者的DRAM訂單交貨時間在2017年中便已明顯拖慢，若DRAM短缺問題將持續(xù)到2018年，則市場缺貨情況將更加嚴(yán)重，值得注意。