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根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技記憶體儲(chǔ)存研究DRAMeXchange最新調(diào)查，時(shí)序進(jìn)入9月下旬，正值各家廠商議定第四季合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)機(jī)，但受到位元產(chǎn)出持續(xù)增加，以及旺季需求并未明顯增溫的影響，價(jià)格走弱的態(tài)勢(shì)更為明顯，DRAM第四季合約價(jià)跌幅將由原先預(yù)估的季跌1～3％擴(kuò)大至約5％。

DRAMeXchange資深協(xié)理吳雅婷指出，DRAM價(jià)格在過(guò)去9個(gè)季度期間大幅上揚(yáng)，但從今年第三季起價(jià)格已經(jīng)開(kāi)始走弱，其中標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM與伺服器DRAM價(jià)格漲幅縮小至1～2％，行動(dòng)式DRAM價(jià)格在旺季僅持平開(kāi)出，繪圖用DRAM更率先出現(xiàn)跌價(jià)。觀察現(xiàn)貨市場(chǎng)狀況，價(jià)格從年初一路下滑，并在今年6月底開(kāi)始正式低于合約價(jià)，而目前的現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)低于合約價(jià)格約10％，顯示后續(xù)合約價(jià)格仍將繼續(xù)下跌。

從伺服器DRAM市場(chǎng)來(lái)觀察，受惠于平臺(tái)轉(zhuǎn)換與資料中心建案挹注，伺服器需求比往年來(lái)的熱絡(luò)，但今年上半年因DRAM供給仍吃緊，導(dǎo)致終端紛紛以超額訂單的方式維持穩(wěn)定貨源。第三季隨著原廠持續(xù)提升伺服器DRAM的產(chǎn)出比重，供給達(dá)成率已轉(zhuǎn)趨飽和。展望第四季，除了伺服器需求出現(xiàn)雜音外，目前由于通路價(jià)格持續(xù)開(kāi)低，韓系原廠已率先降低第四季價(jià)格標(biāo)的，預(yù)估季跌幅將達(dá)5％左右，高于原先預(yù)期的2％。

與伺服器DRAM產(chǎn)品屬性較為相近的PC DRAM同樣呈現(xiàn)供過(guò)于求，再加上英特爾新平臺(tái)供貨不足影響筆電出貨狀況，導(dǎo)致PC DRAM第四季價(jià)格跌幅也上看5％。利基型的消費(fèi)型DRAM則受到中美貿(mào)易戰(zhàn)帶來(lái)的不確定性因素影響，需求已出現(xiàn)下修，價(jià)格也從9月開(kāi)始下跌，第四季的跌幅更可能超過(guò)PC DRAM與伺服器記憶體。

占整體供貨比重最大的行動(dòng)式DRAM價(jià)格同樣呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。展望第四季，雖然在新款iPhone出貨的拉升下，需求逐漸增溫，但由于新款機(jī)種的定價(jià)高于市場(chǎng)預(yù)期，銷售預(yù)估轉(zhuǎn)為保守，因此難以反轉(zhuǎn)DRAM供過(guò)于求的態(tài)勢(shì)。預(yù)估分離式（discrete）單顆行動(dòng)式DRAM第四季價(jià)格跌幅約在3％，eMCP解決方案則因NAND Flash價(jià)格下滑更為快速，整體跌幅可能擴(kuò)大至8％。

無(wú)獨(dú)有偶，IC Insights在早前發(fā)布的報(bào)告中稱，預(yù)計(jì)2018年全球七大類芯片產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模增速為16%，較2017年25%的實(shí)際增速有所放緩。報(bào)告預(yù)計(jì)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)平均售價(jià)(以及隨后的市場(chǎng)增長(zhǎng))處于或接近其峰值，預(yù)計(jì)DRAM產(chǎn)品2018年的增速為39%，其2017年的實(shí)際增速高達(dá)77%。首當(dāng)其沖的要數(shù)兩類主流存儲(chǔ)器產(chǎn)品。報(bào)告預(yù)計(jì)，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)產(chǎn)品2018年的增速為39%，而其2017年的實(shí)際增速高達(dá)77%；NAND Flash(非易失存儲(chǔ)器門類之一)產(chǎn)品2018年的預(yù)計(jì)增速為18%，其2017年的實(shí)際增速高達(dá)53%。

IC Insights認(rèn)為，平均銷售價(jià)格的上漲推動(dòng)了DRAM的市場(chǎng)規(guī)模在今年前8個(gè)月持續(xù)上漲。但I(xiàn)C Insights預(yù)計(jì)，DRAM平均售價(jià)(以及隨后的市場(chǎng)增長(zhǎng))處于或接近其峰值，原因是2019年開(kāi)始，用于產(chǎn)能升級(jí)和擴(kuò)張的資本支出將大幅上升。

而據(jù)DIGITIMES報(bào)道，為了穩(wěn)定DRAM的價(jià)格，三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)有可能彈性調(diào)整供給量配合市場(chǎng)需求，避免DRAM價(jià)格下跌。但除了國(guó)外分析師對(duì)市場(chǎng)景氣看壞，韓國(guó)金融業(yè)界也預(yù)估兩大韓廠會(huì)持續(xù)擴(kuò)大DRAM供給量，呼吁廠商暫緩?fù)顿Y。

實(shí)際上三星電子放慢平澤工廠的DRAM產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)速度，考慮采取較保守的供給策略，平澤工廠的剩余投資最快在2018年底才會(huì)執(zhí)行。SK海力士即將啟用的M15新廠將以生產(chǎn)NAND Flash為主，DRAM工廠M16預(yù)定2019年才會(huì)動(dòng)工。

報(bào)導(dǎo)分析，三星電子近來(lái)調(diào)降利潤(rùn)低的移動(dòng)DRAM生產(chǎn)比重，提高利潤(rùn)高的服務(wù)器DRAM供給，DRAM價(jià)格緩慢下跌可能受此轉(zhuǎn)換過(guò)程影響，并非完全是因?yàn)槭袌?chǎng)普遍認(rèn)為的供給過(guò)剩所造成。

專家認(rèn)為NAND Flash價(jià)格下跌雖是影響市場(chǎng)景氣的因素，但價(jià)格上漲才是反常。廠商的制程、技術(shù)愈來(lái)愈進(jìn)步，理應(yīng)讓生產(chǎn)成本與市場(chǎng)價(jià)格下跌。

韓國(guó)金融業(yè)界呼吁兩大韓廠應(yīng)減少擴(kuò)產(chǎn)投資，避免價(jià)格過(guò)度價(jià)跌，認(rèn)為三星電子應(yīng)不會(huì)進(jìn)行2018年下半DRAM與NAND Flash的新增產(chǎn)線投資，即便有投資也是小規(guī)模水平。SK海力士在第3季執(zhí)行部分NAND Flash新增投資，DRAM則要到2018年底或2019年初才會(huì)有小幅度投資。